英伟达加速认证三星HBM内存芯片：掀起GPU技术革命浪潮

摘要： 11月24日综合报道，英伟达CEO黄仁勋近日在接受媒体采访时透露，公司正在加速对三星电子的人工智能内存芯片——HBM（High Bandwidth Memory，高带宽内存）进行认...

11月24日综合报道，英伟达CEO黄仁勋近日在接受媒体采访时透露，公司正在加速对三星电子的人工智能内存芯片——HBM（High Bandwidth Memory，高带宽内存）进行认证。这一消息引发了业界广泛关注。

此前，早在10月下旬，三星电子已对外释放信号，称其HBM芯片在英伟达的质量测试中取得了显著进展。

然而，在本周早些时候与分析师的财报后电话会议上，黄仁勋虽提及了多个主要合作伙伴，却未直接点名三星，一度引发外界对于双方合作进展的猜测。

不过，黄仁勋随后的表态明确了英伟达与三星在HBM内存芯片合作上的积极态度。

据此前公开报道，三星电子内存业务副总裁Kim Jae-june曾表示，三星正在积极扩大8层和12层HBM3E芯片的销售，并致力于改进以满足一家大客户的下一代GPU计划，这家大客户被普遍认为是指英伟达。

三星电子不仅已经在量产8层和12层HBM3E产品，还在质量测试方面取得了有意义的进展，并透露了开发第6代HBM4产品的计划，预计从明年下半年开始批量生产。

对于英伟达而言，与三星的合作无疑将增强其GPU在人工智能处理领域的性能优势。

随着人工智能技术的快速发展，高性能计算需求日益增长，而HBM内存芯片凭借高带宽、低延迟的特性，成为提升GPU性能的关键要素。

英伟达选择对三星的HBM内存芯片进行认证，旨在能提升产品竞争力，更好地满足市场需求。

同时，在这场互利共赢的合作中，三星将有望赢得更为广阔的市场机遇与业务增长新空间。