国产光刻胶通过量产验证：120nm分辨率 配方全自主设计

摘要： 10月15日消息，据中国光谷公众号，日前，武汉太紫微光电科技有限公司（以下简称太紫微公司）推出的T150 A光刻胶产品，通过半导体工艺量产验证。T150 A光刻胶实现配方全自主设...

10月15日消息，据中国光谷公众号，日前，武汉太紫微光电科技有限公司（以下简称太紫微公司）推出的T150 A光刻胶产品，通过半导体工艺量产验证。

T150 A光刻胶实现配方全自主设计，对标国际头部企业主流KrF光刻胶系列。

据介绍，相较于国外同系列产品UV1610，T150 A在光刻工艺中表现出的极限分辨率达到120nm，且工艺宽容度更大，稳定性更高，坚膜后烘留膜率优秀。

通过验证发现T150 A中密集图形经过刻蚀，下层介质的侧壁垂直度表现优异。

资料显示，太紫微公司成立于2024年5月，由华中科技大学武汉光电国家研究中心团队创立。

光刻胶又称光致抗蚀剂，是指通过紫外光、电子束、离子束、X射线等的照射或辐射，其溶解度发生变化的耐蚀剂刻薄膜材料。

光刻胶主要应用于显示面板、集成电路和半导体分立器件等细微图形加工作业。